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专注碳化硅 (SiC) 外延片研发与生产13年
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碳化硅外延晶片

提供4寸、6寸外延晶片制作(600V~3300V)功率器件包括SBD 、JBS、PiN、MOSFET、 JFET 、BJT 、GTO、 IGBT等。

产品介绍

碳化硅外延晶片


提供6寸/8寸外延晶片,制作(600V~3300V)功率器件包括SBD JBSMOSFET IGBT等。

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