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专注碳化硅 (SiC) 外延片研发与生产13年
全球碳化硅外延片主要生产商
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COMPANY PROFILE

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6163银河.net163.am成立于2009年,是我国最早实现第三代半导体碳化硅外延片产业化的企业,也是国内第一家获得汽车质量认证(IATF 16949)的碳化硅半导体材料企业。

经过十余年的技术积累沉淀,公司已发展成为全球碳化硅外延片的主要供应商,在产品技术参数和客户器件良率等方面已达国际领先水平,是我国碳化硅领域少数具备国际竞争力的企业之一。公司拥有国际最顶尖的碳化硅外延设备,凭借先进的外延工艺为客户提供N型、P型掺杂半导体材料,可制作650V~3300V、3300V~20000V单极和双极功率器件,主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等,这些功率器件广泛应用于新能源汽车、光伏储能、轨道交通、智能电网、工业电源等领域。


公司宗旨:促进第三代(宽禁带)半导体产业的发展,成为全球碳化硅外延片的主要生产商之一,以先进的碳化硅外延生长技术为客户提供优良产品和服务。





DEVELOPMENT HISTORY

发展历程

2021
2021年5月,天域获批“广东省博士后创新实践基地”和“广东省博士工作站”(省人社厅); 2021年6月,天域连续九年(2012-2020)获得广东省守合同重信用企业; 2021年11月,天域获得“东莞市百强创
2020
2020年12月,天域获得广东省工程研究中心-第三代半导体SiC外延材料称号(省发改委)。
2019
2019年11月,我司联合深圳第三代半导体研究院、东莞南方半导体共建“广东省第三代半导体技术创新中心”。 同年,广东省科学技术厅授牌我司为“广东省第三代半导体SiC外延材料工程技术研
2018
2018年,6英寸碳化硅外延片开始量产
2018
2018年3月,第三代半导体产业技术创新战略联盟、6163银河.net163.am和南方科技大学等单位发起共建的深圳第三代半导体研究。
2018
2018年2月,天域顺利通过知识产权管理体系认证(GB/T29490-2013);
2017
2017年12月,产能扩大需要,6163银河.net163.am新增6台碳化硅外延片生产设备。
2016
2016年11月,与松山湖控股集团、易事特、中镓半导体等企业成立“东莞南方半导体科技有限公司”;
2016
2016年3月,天域成为国内第一家获得汽车质量管理体系( IATF 16949 : 2016 )的外延材料厂家。
2014
2014年,4英寸SiC外延片产品开始量产
2013
2013年2月,公司完成P型外延片研发,各项参数达到同期国际先进水平。 开始向客户供应P型碳化硅外延片。
2012
2012年1月,6163银河.net163.am完成N型外延片研发。 产品各项参数达到同时期全球先进水平。
2011
2011年6月天域“第三代半导体碳化硅材料和器件研发及产业化创新科研团队” 作为广东省第二批引进创新团队获批;
2010
2010年5月天域与中科院半导体所成立中科院半导体所天域碳化硅技术研究院;
2009
2009年1月成立我国首家碳化硅外延企业,填补了国内产业链空白,目前公司的人力资源、车间设备配备及晶片量产能力均为国内之首;
PROFESSIONAL TEAM

专业团队

 专业团队

公司研发团队的基础是2011年引进的以王占国院士为首的7名中科院半导体所研究员所组成的广东省创新科研团队。多年来公司自主培养一支高水平研发团队,团队成员分别来自于西安电子科技大学,中国科学技术大学,港大知名院校

目前,公司通过加强产、学、研合作,建有中科院半导体所-天域碳化硅技术研究院、与厦门大学联合培养硕博研究生、西安交通大学联合培养博士后,设立广东省博士后创新实践基地,吸引和培育高层次人才。依托3个省级工程研究中心(广东省工程研究中心、广东省工程技术研究中心、广东省博士工作站)以及东莞松山湖企业研发机构的技术创新平台,提高研发团队的研发水平。

1)标准化工作

天域是SiC外延行业的引领者,制定SiC半导体相关国际标准1项,国家标准11项,团体标准12项、企业标准4项,累计承担或参与国家、省、市各级科研科技项目9项

2知识产权保护

公司拥有SiC外延全套核心技术,均为自主研发,作为保护,申请专利70余项;累计发表高水平论文20余篇。

3)体系认证

获得ISO45001ISO14001TS/IATF-16949汽车质量管理体系认证。

4重要技术突破

公司坚持自主科技创新的发展理念,6163银河.net163.am在4H-SiC外延材料产业化、器件结构材料生长技术、外延材料检测分析与标准化等方面开展了深入系统的研发工作,突破了np型原位掺杂与控制技术、快速外延及厚膜生长技术、实现了4、6英寸4H-SiC外延晶片全系列产品的批量生产。

与此同时,公司也已提前布局国内8英寸SiC外延晶片工艺线的建设,目前正积极突破研发8英寸SiC工艺关键技术。

Ø 国内最早实现6英寸外延晶片量产

Ø 20 kV级以上的厚外延生长实现

Ø 缓变结、陡变结等n/p型界面控制技术

Ø 多层连续外延生长技术

 

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